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문제 정의
- 특히 고출력 소자로서 SiC MESFET소자는 제작시 공정상 저온에서 전극 접합이 가능하고 채널 저항이 적으며 전력 소자인 경우 금속 쇼트키접합이 방열판으로 작용하는 등의 장점을 가지고 있어 SiC / SiO2의 계면이 Si / SiO2 계면에 비해서 불안한 MOSFET 보다 MESFET 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구는 4H-SiC의 물리적 변수 추출을 통하여 MESFET 소자 제작 시 추정되는 정확한 전류 전압 특성을 예측하는 모델링 확보를 목적으로 하였으며 각각의 수행 변수 등을 기반으로 이동도 모델 및 wafer상에 존재하는 결함이 소자 상에서 이끄는 trap 및 incomplete ionization등의 영향에 대하여 분석하였다.
- 본 연구에서는 고출력 고주파 4H-SiC MESFET 제작을 위한 예측성 및 재현성 있는 소자 모델링을 확보하기 위하여 소자의 전류 전압 특성을 이동도 모델 변화와 trap 및 incomplete ionization 등을 고려한 모델을 적용하여 모델링 하였다. 모델링을 위한 이동도 모델 적용 결과 fixed 이동도 모델을 이용하는 것보다 Caughey-Thomas model 을 적용하는 것이 실제 소자와 knee 전압 및 lds 특성에 대해 더욱 잘 부합 되는 것을 확인할 수 있었다.
- 191 eV 정도라고 밝혀져 있다[3]. 본 연구에서는 소자의 결함에 의한 incomplete ionization 을 고려하여 Ming wei의실험 결과와 비교하였다. [1] 모델링 결과와 실제 실험 결과는 그림 3에서 보는 것과 같이 매우 잘 일치하였고, Vt.
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