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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회논문집, 2001 Nov. 01, 2001년, pp.189 - 192
김형곤 (조선이공대학 전기과) , 김철복 (대불대학교 전기공학과) , 정상용 (아남반도체 (주) FAB 사업부) , 이철인 (안산공과대학 전기과) , 김태형 (여주대학교 전기과) , 장의구 (중앙대학교 전자전기공학부) , 서용진 (대불대학교 전기공학과)
Recently, STI process is getting attention as a necessary technology for making high density of semiconductor by devices isolation method. However, it does have various problems caused by CMP process, such as torn oxide defects, nitride residues on oxide, damages of si active region, contaminations ...
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