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제안 방법
- p data-page="1">대표적인Ⅱ-VI족 극성 반도체 결정인 ZnTe[001]와 ZnCdTe MQW에서 시료의 에너지띠보다 낮은 에너지의 펨토초 티타늄 사파이어 레이저를 이용하여 결맞는 포논을 발생시키고 그 특성을 관찰하였다. 결맞는 포논의 신호는 그림1)과 같이 반사 및 투과형 전기 광학적 샘플링(Reflective/Transmissive Electro-Optic Sampling: REOS/TEOS)방법과 여기-탐사광 방법(1)으로 시간 영역에서 측정하였다.
- 그림 2)는 ZnTetOOl] 결정에서 여기광의 여러가지 편광 방향에 대한 결맞는 포논의 진동 신호를 보여준다. 포논 모드의 여기광의 편광 의존성을 알아보기 위하여 그림 3)에서와 같이 시간 영역의 신호를 푸리에 변환한 주파수 영역의 신호들로부터 측정한 LO 모드와 two phonon 모드의 진폭과 위상을 여기광의 편광방향의 함수로 나타내었다. [100] 편광방향(45° )에서 매우 약한 결맞는 LO 포논 모드 의 진동자 세기는 여기광 편광각도가 [110]방향(0° ) 또는 [110]방향(90° )일 때 최대 값을 나타내었고, [100]방향을 중심으로 편광각의 변화는 결맞는 포논 진동들 사이에 7T 만큼의 위상차를 발생시켰다.
대상 데이터
- 이 연구에 사용된 반도체 시료인 ZnTe[001] 결정과 Zno.67Cdo.33Te MQW의 에너지 띠는 각각 2.25eV 와 1.99eV이며, 여기광원으로 사용된 레이저의 펄스폭은 약 50fs이였으며 중심파장은 800nm(~1.55eV) 였다. ZnCeTe MQW에서는 약 3.
이론/모형
- p data-page="1">대표적인Ⅱ-VI족 극성 반도체 결정인 ZnTe[001]와 ZnCdTe MQW에서 시료의 에너지띠보다 낮은 에너지의 펨토초 티타늄 사파이어 레이저를 이용하여 결맞는 포논을 발생시키고 그 특성을 관찰하였다. 결맞는 포논의 신호는 그림1)과 같이 반사 및 투과형 전기 광학적 샘플링(Reflective/Transmissive Electro-Optic Sampling: REOS/TEOS)방법과 여기-탐사광 방법(1)으로 시간 영역에서 측정하였다.
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