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SOI 제작을 위한 습식 열산화막 성장 및 특성
The Growth and Characteristics of Wet Thermal Oxidation Film for SOI Fabrication 원문보기

한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회, 2003 Feb. 01, 2003년, pp.172 - 173  

김형권 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ,  변영태 (한국과학기술연구원 광기술연구센) ,  김선호 (한국과학기술연구원 광기술연구센) ,  한상국 (연세대학교 전기전자공학) ,  옥성혜 (중앙대학교 광전자 및 광통신연구실)

초록
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SOI (Silicon on insulator) 웨이퍼를 이용하여 제작된 전자소자는 고온에서 동작이 안정될 뿐만 아니라 초고속 동작이 가능하고, 사용 소비전력이 낮고, 단위 소자의 집적 효율이 우수해 활발한 연구가 이루어지고 있다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 Si 이외의 GaAs, InP, SIC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고 있다 따라서 초기에 절연체 위에 실리콘 박막을 형성하는 Silicon on insulator (SOI) 기술은 다양한 종류의 반도체 박막을 절연체 위에 형성하는 Semiconductor on insulator로 SOI의 의미가 확장되고 있다. (중략)

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