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비정질 실리콘 박막 증착용 고밀도 플라즈마 화학 증착장비 원문보기

한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집, 2003 May 01, 2003년, pp.1 - 3  

김창조 (아텍시스템) ,  최윤 (아텍시스템) ,  김도천 (아텍시스템) ,  신진국 (전자부품연구원 나노정보에너지 센터) ,  이유진 (전자부품연구원 나노정보에너지 센터)

초록
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평판형 안테나를 채택한 TCP (Transformer Coupled Plasma) 형태의 CVD 장비를 이용하여 비정질의 실리콘 박막을 증착 하였다. 비정질 실리콘 박막은 태양전지 및 TFT-LCD 등의 디스플레이 제품 등에 다양하게 적용되고 있는데, 일반적으로 CCP(Capacitor Coupled Plasma) 형태의 CVD 장비에서 증착되어 왔다. TCP-CVD 장비는 CCP-CVD에 비해 플라즈마 내의 높은 이온밀도 및 저압, 저온에서 공정이 가능할 뿐만 아니라, 기판 바이어스 전압을 독립적으로 조절할 수 있어 이은에 의한 증착막의 결함을 낮출 수 있는 장점이 있다. 본 발표에서는 자체 기술로 제작된 TCP-CVD의 소개와 증착된 비정질 실리콘 박막의 특성평가를 위한 라만 분석 및 dark conductivity 데이타를 다루었다. 또한 비정질 실리콘 박막의 반도체 소자의 응용성을 보기 위하여 3족 및 5족의 불순물을 도핑하여 전기전도도의 변화를 측정하였다.

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