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NTIS 바로가기한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집, 2003 May 01, 2003년, pp.106 - 111
나경일 (경북대학교 대학원 센서공학과) , 박세종 (삼성전자) , 부성은 (경북대학교 전기전자공학부) , 정우철 (경북대학교 전기전자공학부) , 이정희
Tantalum nitride(TaN) films were deposited by atomic layer deposition(ALD) and plasma assisted atomic layer deposition(PAALD). The deposition of the TaN thin film has been performed using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and ammonia(
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