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NTIS 바로가기Nanotechnology (IEEE-NANO) , 2015 IEEE 15th International Conference on, 2015 July, 2015년, pp.762 - 765
Mori, Takahiro (Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. &) , Kubo, Toshitaka (Technol., Tsukuba, Japan) , Uchida, Noriyuki (Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. &) , Ando, Atsushi (Technol., Tsukuba, Japan) , Ninomiya, Naruki (Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. &) , Tanaka, Masatoshi (Technol., Tsukuba, Japan) , Watanabe, Eiichiro (Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. &) , Tsuya, Daiju (Technol., Tsukuba, Japan) , Moriyama, Satoshi (Dept. of Phys., Yokohama Nat. Univ., Yokohama, Japan)
Effective mobility in top-gated MoS2 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with HfO2/TaN gate was investigated. We realized C-V measurements of MoS2 MOSFETs with a small gate area. The resultant surface carrier concentration dependence of the effective mobility suggested that ...
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