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NTIS 바로가기대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2), 2004 June 01, 2004년, pp.327 - 330
나준희 (충남대학교 전기정보통신공학부) , 최서윤 (충남대학교 전기정보통신공학부) , 김용구 (충남대학교 전기정보통신공학부) , 이희덕 (충남대학교 전기 정보통신공학부)
It is shown that the hot carrier degradation due to enhanced hot holes trapping dominates PMOSFETs lifetime both in thin and thick devices. Moreover, it is found that in 0.13
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