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NTIS 바로가기대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회, 2005 Nov. 26, 2005년, pp.579 - 582
최인철 (서경대학교 전자공학과) , 이조운 (서경대학교 전자공학과) , 박태수 (서경대학교 전자공학과) , 구용서 (서경대학교 전자공학과)
In this study, the electrical characteristic of asymmetric high voltage MOSFET (AHVMOSFET) for display IC was investigated. Measurement data are taken over range of temperature (300K-400K) and various extended drain length, and gate oxide thickness (
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