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반도체 웨이퍼 면저항 측정기의 설계제작
A Design and Manufacture on Sheet Resistance Measure Instrument of Semiconductor Wafers 원문보기

대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C, 2005 July 18, 2005년, pp.2034 - 2036  

강전홍 (한국표준과학연구원) ,  김한준 (한국표준과학연구원) ,  한상옥 (충남대학교) ,  김종석 (한밭대학교) ,  류제천 ((주) KMC)

초록
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Four Point Probe 방법을 이용한 반도체 wafer의 면저항 측정을 위하여 single configuration 기술을 적용한 회로를 설계 제작하였으며, 제작된 FPP장치의 면저항 측정범위는 $10{\sim}3000{\Omega}/sq.$ 이고 측정의 정확도는 약 0.5%이하이다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

  • 또한, FPP 측정기의 직선성 평가는 decade resistor의 두 단자에 FPP측정기의 측정 probe로 연결되는 4 wiie를 4단자 방시으로 연결한 후 적정한 저항을 단계적으로 변화시켜 FPP 측정기에서 표시되는 저항(R)값을 읽어 측정된 저항값으로부터 직선성을 확인하였다.
  • 01 %)를 사용하였다. 측정온 FPP측정기를 그림 5와 같이 연결하여 각 출력전류 범위에서 적정한 저항을 단계적으로 변화시켜 DMM에 지시되는 전류를 읽어 측정된 전류로부터 안정도를 평가하였다.

대상 데이터

  • 1 %이하로 나타났다. 안정도 평가는 교정된 decade resistor (ESI DB62, 불확도: 0.01 %)와 DMM(digital multimeter))(Wavetek, 1281, DCI 불확도: 0.01 %)를 사용하였다. 측정온 FPP측정기를 그림 5와 같이 연결하여 각 출력전류 범위에서 적정한 저항을 단계적으로 변화시켜 DMM에 지시되는 전류를 읽어 측정된 전류로부터 안정도를 평가하였다.
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