선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- ICP-CVD를 사용한 bottom 게이트 방식의 미세결정 실리콘 박막 트랜지스터의 박막 특성을 연구하였다. Incubation layer 두께를 줄이기 위해 ICP-CVD를 사용하여 Si-rich SiNx를 Seed layer로 증착하였다.
- 기존의 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 에 비헤 ICP-CVD 는 원격 플라즈마를 사용하므로, 이온 충격 효과 (Ion Bombardment) 를줄이므로, 고밀도 플라즈마를 발생시킬수 있다는 장점이 있다.[2-3] 본 연구의 목적은 ICP-CVD 를 사용해 증착한 미세 결정 실리콘의 Incubation layei를 줄이고 결정화도를 개선하여, bottom 게이트 방식의 미세결정 실리콘 박막 트랜지스터에 적합한 증착 조건을 확립하는 것이다.[4]
- Si~rich SiNx Seed layer가 미세결정 실리콘 결정립의 성장에 있어서 Incubation layer를 줄여주는 것을 알 수 있다. 또한 실리콘 표면형성과 결정 성장기회의 관계를 연구해보았다. 높은 수소 플라즈마에 노출시킨 Si-rich SiNx 박막이 더 높은 결정화도롤 나타냄을 Raman Spectroscopy를 사용하여 확인했다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.