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제안 방법
- CMP 공정중 BTA 의 영향은 slu「ry내의 chemistry와 abrasive pa「ti이e에 의해 영향을 받는다. 본 연구에서는 slw「y내 chemica에 따른 Cu surface의 변화와 pH, 出。2와 abrasive pa「ti이e의 변화에 마른 poshing 거동을 살펴보았다.
- BTA를 첨가하여 과수 농도에 따라 pH를 2, 4, 6으로 변화시켜 이내에서 B의 static etch「가e을 살펴보았다. 그 결과 과수농도와 pH에 상관없이 et아ling이 거의 일어나지 않았고 모든 조건에서 20nm/min이하의 etch rate을 보였다.
- Cu CMP 이uiry에 BTA를 첨가함으로써 Cu 표면에 Cu-BTA film을 형성하여 Cu 의 diss 이 ution 을 억제시키고 얇은 passivation layerB 형성하였다. alumina를 연마입자로 하여 BTA를 첨가하였을 경우 RR은 감소하였고 감소폭은 아 T4보다 chemic기 작용이 지배적인 pH2에서 더 컸다.
- 1 mg sensitivity^ 가진 microbalance로 etching 전과 후의 무게 변화를 측정하여 계산하였다. C니 표면의 Cu, 0, C의 농도를 A니ger Electron Spectroscopy (AES)를 이용하여 측정하였다. Cu CMP sluiry에는 연마입자로써 alumina (Degussa, 99.
- BTA(99%)와 NHQH는 각각 부식방지제와 pH 적정제로 사용하였다. Polishing test는 Cu disk(100mm)로 frictional polisher (G&P Tech., PO니-500, K아ea)를 이용하여 실행하였다.
- )와 contact angle analyzer (Kriiss G10)를 이용하여 측정하였匚卜. etching test는 2.0 x 2.0cm2 Cu disk 를 이용하여 각 조건의 chemical내에 di이Ding시켜 0.1 mg sensitivity^ 가진 microbalance로 etching 전과 후의 무게 변화를 측정하여 계산하였다. C니 표면의 Cu, 0, C의 농도를 A니ger Electron Spectroscopy (AES)를 이용하여 측정하였다.
- 이 실험에서는 Cu가 1.2何의 두께로 도금된 Cu wafe「를 2.0x2.0cm2 로 잘라 각 chemical Oil 따라 10분동안 dipping 하여 Cu 표면에 생성된 film의 thickness와 contact angleB 각각 variable angle spectroscopic ellipsometer (VASE, J. A. Wo이lam Co.)와 contact angle analyzer (Kriiss G10)를 이용하여 측정하였匚卜. etching test는 2.
대상 데이터
- 99%, 30 rim)을 사용하였고 Citric acid를 complexing agent 로 hydrogen peroxideB oxidant 로 사용하였다. BTA(99%)와 NHQH는 각각 부식방지제와 pH 적정제로 사용하였다. Polishing test는 Cu disk(100mm)로 frictional polisher (G&P Tech.
- C니 표면의 Cu, 0, C의 농도를 A니ger Electron Spectroscopy (AES)를 이용하여 측정하였다. Cu CMP sluiry에는 연마입자로써 alumina (Degussa, 99.99%, 13nm)와 fumed silica parti이as (Degussa, 99.99%, 30 rim)을 사용하였고 Citric acid를 complexing agent 로 hydrogen peroxideB oxidant 로 사용하였다. BTA(99%)와 NHQH는 각각 부식방지제와 pH 적정제로 사용하였다.
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