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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6, 2005 July 07, 2005년, pp.174 - 175
방욱 (한국전기연구원) , 정희종 (동의대학교) , 강인호 (한국전기연구원) , 김상철 (한국전기연구원) , 한현숙 (경남대학교) , 김남균 (한국전기연구원)
Initial growth stage was investigated for SiC homoepitaxial film growth using 'step controlled epitaxy' technique. When the off angel direction is located parallel along to the gas flow direction, the smoother surface can be obtained. On the on axis substrates, selective etching was detected both th...
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