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제안 방법
- 상온에서부터 실험온도까지 8분간 승온 하였으며, 이때 수소가스의 유량은 5slm, 압력은 600Torr로 유지하였다. 이후 증착은 2분간 ;氏와。3 氏 가스를 주입하면서 실시하였고, 식각 실험은 동일시간 동안 원료 가스의 주입 없이 수소만을 주입하여 실시하였다. 이때 C/Si원료비는 2.
- 5° 이내의 off angle을 가진다. SiC 단결정 박막 증착 및 식각은 새로 제작된 수직형 hot-wall CVD장치에서 행하였다. 상온에서부터 실험온도까지 8분간 승온 하였으며, 이때 수소가스의 유량은 5slm, 압력은 600Torr로 유지하였다.
- 증착 및 식각 후 표면 >1칠기 및 형상 관찰은 Normarski 광학 현미경을 주로 이용하였으며, FE-SEM(Hitachi, ) 및 AFM(PSIA, XE-100)을 병용하여 관찰하였다. 기판 내에 존재하는 결함과의 샹관 관계를 관찰하고자 투과 편광현미경을 사용하여 비 파괴 기법으로 micropipeB 관찰하여 표면형상과 비교하였다.
- 본 연구에서는 기판의 off-angle 및 가스 flow와의 방향 등을 변화시키며, 초기 식각 및 성장시에 일어나는 현상을 step의 형성양상과 기판 결함의 출현현상을 관찰하여 비교하였다.
- SiC 단결정 박막 증착 및 식각은 새로 제작된 수직형 hot-wall CVD장치에서 행하였다. 상온에서부터 실험온도까지 8분간 승온 하였으며, 이때 수소가스의 유량은 5slm, 압력은 600Torr로 유지하였다. 이후 증착은 2분간 ;氏와。3 氏 가스를 주입하면서 실시하였고, 식각 실험은 동일시간 동안 원료 가스의 주입 없이 수소만을 주입하여 실시하였다.
- 우선 off angle기판의 경우 off angle이 주어진 방향 즉, step의 형성방향과 성장로 내의 가스흐름 방향과의 영향을 관찰하기 위해 각각이 수평방향과 수직 방향으로 배열되도록 하여 초기 식각 및 성장과정을 비교하였다. 그림 1 에 나타난 바와 같이 가스흐름 방향에 대해 수직인 것과 수평인 것 모두 off-angle에 수직인 방향으로 step이 형성된 것를 확인할 수 있다.
- 주위의 불규칙한 step들은 o maxis 기판의 경우에도 0, 5。이내에서 off angle을 갖기 때문에 승온 과정에서의 수소에 의한 식각과 초기 박막성장과정에서 형성된 것으로 보여진다. 이러한 원추형의 표면 형상아 초기승온 과정에서의 수소가스에 의한 식각에 의한 것인지를 알아보기 위해 원료가스를 주입하지 않고 2분간 유지한 기판에 대해 분석하였다.
- 0으로 고정하였다. 증착 및 식각 후 표면 >1칠기 및 형상 관찰은 Normarski 광학 현미경을 주로 이용하였으며, FE-SEM(Hitachi, ) 및 AFM(PSIA, XE-100)을 병용하여 관찰하였다. 기판 내에 존재하는 결함과의 샹관 관계를 관찰하고자 투과 편광현미경을 사용하여 비 파괴 기법으로 micropipeB 관찰하여 표면형상과 비교하였다.
대상 데이터
- 기판은 Cree사로부터 구입한 3.5°。酒 axis의 6H-SiC 기판과 4H-SiC on axis기판을 이용하였다. 이i-axis기판의 경우 가공과정에서 ±0.
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