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나노초 레이저를 이용한 LED 소자용 사파이어 웨이퍼 드릴링 공정
Sapphire Wafer Drilling Process for LED Devices using Nano-Second Pulse Laser 원문보기

한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집, 2008 Nov. 12, 2008년, pp.743 - 744  

김남성 ((주)이오테크닉스 레이저응용 연구소) ,  정영대 ((주)이오테크닉스 레이저응용 연구소) ,  성천야 ((주)이오테크닉스 레이저응용 연구소) ,  오경환 (연세대학교 물리학과)

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문제 정의

  • 또한 멀티모드 광섬유를 사용하면 일반적으로 flat-top빔 프로파일을 유지하게 되는데 스펙클 현상에 의해 flat-top 프로파일의 균일도가 매우 떨어질 수 있다. 본 실험에서는 이와 같은 멀티모드 광섬유를 사용한 레이저파워전송시의 스펙클과 같은 문제점을 해소하기 위해 새로운 방식의 acousto-optic fiber optic laser beam homogenizer를 제안하고 실험적으로 그 가능성을 확인하였다.
  • 본 연구에서는 Nd:YVO4 레이저의 제2고조파인 532 nm 파장의 레이저를 사용하여 LED 소자의 기판으로 사용되는 직경 2인치, 두께 430 um의 사파이어 웨이퍼에 고속으로 미세 홀을 드릴링 할 수 있는 시스템을 개발 하였다. 펄스 에너지, 반복주파수, 가공발수를 변화시킬 때 가공특성 및 홀 직경과 가공깊이변화를 조사함으로써 최적의 가공 조건 및 특성을 파악하는 실험을 진행하였다.
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