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스퍼터링 방법으로 성장시킨 ZnO 박막의 결정질 향상을 위한 고온성장 원문보기

한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집, 2007 Apr. 05, 2007년, pp.163 - 164  

김영이 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  안철현 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  강시우 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  김동찬 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  공보현 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  한원석 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  전상욱 (성균관대학교, 신소재공학과) ,  조형균 (성균관대학교, 신소재공학과)

초록
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ZnO 박막결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰 할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 그렇기 때문에 일반적으로 ZnO 박막과 Si 기판 사이에 열처리나 homo-buffer 증을 사용하여 박막과 기판 사이에 발생하는 점 결함과 전위를 감소 시켜 ZnO 박막의 결정질을 향상시킨다. 그러나 본 연구에서는 저온 homo-buffer층과 열처리 없이 성장온도만을 변화시켜 고품질의 ZnO 박막을 성장시켜 고품위의 ZnO 박막을 성장시키고자 하였다.
  • 본 연구에서는 고온성장에 따른 ZnO 박막의 결정질 및 미세구조 특성을 알아보기 위해 투과전자현미경 (TEM)과 X-ray diffraction (XRD)를 측정하였다. 그리고 박막의 발광 특성을 알아보기 위해 저온 PL을 측정하였고, 성장온도 변화에 따른 박막의 표면 형상변화를 알아보고자 원자 현미경 (AFM)을 tapping mode로 측정하였다.
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