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대상 데이터
- (a)에서 보는 것처럼 펨토초 레이저를 이용하여 알루미나(Aha) 표면에 주기적인 마스크 패턴(Mask patterns)을 제작하였다 실험에 사용된 Ti sapphire 펨토초 레이저는 800 nm의 파장, 100 fs의 펄스폭(Pulse width)과 1kHz의 펄스 반복률(Repetition rate)을 가진다 제작된 마스크 패턴의 폭과 간격은 각각 25 μm와 100 μm 이며, 그림 1
- 본 실험에서는 파장이 800 nm, 펄스폭이 100 fs인 펨토초 레이저를 이용하여 실리카 내부에 서브 미크론(Stibmicron) 크기의 점(Dot) 및 직선(Line) 패턴을 제작하였다 그림 5는 50배율의 objective lens (NA=042)를 사용하여 펨토초 레이저 펄스를 실리카 내부에 집광시킴으로써 선폭과 패턴 간격이 각각 500 nm와 2 μm인 점과 직선 패턴을 제작하였다 그림 5(a)와 같은 점 패턴은 약 1 Tbit/cm3의 기록밀도를 가지는 고밀도 3차원 광메모리(Optical memory)^ 응용할 수 있다 그림 6는 펨토초 레이저를 이용하여 제작한 3차원 광메모리 적용 예이다 실험조건은 그림 5(횮)와 같으며 셍 개의 층으로 이루어져 있다 점 패턴과 층의 간격온 각각 2 μm와 7 μm 이다 이번 실험에서 제작된 점 패턴의 기록밀도는 36 Gbit/cm, 이며, 이것은 앞으로 높은 개구수(NA)를 가지는 고배율의 objective lens를 사용하게 되면 충분히 개선이 가능하다. 이와 같이 펨토초 례이저를 이용한 서브미크론 크기의 점과 직선 패턴 가공은 주기적인 포토닉 밴드 갭 (Photonic band gap) 구조를 갖는 광자결정(Photonic crystal)이나 브래그 격자(Bragg grating) 제작이 가능하며, 그 외에도 다양한 응용 가능성을 보여준다
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