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제안 방법
- R값 변화에 따른 n/p 계면의 직렬저항 변화를 확인하기 위하여 , n층에 대한 특성을 분석하였다. 그림 3은 R값을 변화하여 n층을 제조한 박막의 전도도 및 raman 그래프를 보여준다.
- 5 분위기의 광전류특성 (illumination IT)을 측정하여 전지의 특성을 측정하였다. 광학적 특성은 아몰퍼스 및 마이크로 층에 대한 투과도/반사도를 측정하였다.
- 본 연구에서는 상부전지 H층이 아몰퍼스 및 마이크로 형태의 특성을 가질 때, 그리고, ZnO 중간층에 유무에 따른 TRJ특성을 전기적 , 광학적으로 분석하였다.
- 실리콘 박막 적층형 태양전지에서, 상부 전지와 하부전지간의 TRJ특성을 향상시키기 위하여 상부전지의 n 층을 마이크로화 하거나, ZnO 중간층을 삽입하였다. 마이크로층과 ZnO의 높은 전도도는 상부전지와 하부전지 사이의 직렬저항을 500Q-cnf에서 IQ-cnf 이하로 감소시켜 접합 특성을 향상시키며, 이 향상된 접합 특성은 적층형 태양전지의 FF를 40%에서 70% 이상으로 증가시킨다.
- 25㎠ 크기를 가지는 정사각형 형태의 전지를 그림 1 과 같이 제조하였다. 태양전지의 각 층은 화학 기상 증착장비 (Chemical Vapor Deposition CVD)를 활용하여 증착하였는데, p증 및 n증을 증착하기 위해서 RF magnetron CVD(RFCVD)를, 1중을 증착하기 위해서 고주파 화학 기상 증착장비 (Very high frequency CVD :VHFCVD)를 각각 사용하였다. 시편의 온도는 150~200℃ 사이로 유지하였으며 , 증착시 사용된 gas는 SiH4, H2및 P층증착에 B2H6, CH4를, n층 증착에 PH3를 각각 사용하였다.
- 태양전지의 전기적 특성은 상부전지와 하부전지 사이의 암전류특성 (Dark I-V)을 측정하여 직렬저항을 측정하고, AM 1.5 분위기의 광전류특성 (illumination IT)을 측정하여 전지의 특성을 측정하였다. 광학적 특성은 아몰퍼스 및 마이크로 층에 대한 투과도/반사도를 측정하였다.
대상 데이터
- 시편의 온도는 150~200℃ 사이로 유지하였으며 , 증착시 사용된 gas는 SiH4, H2및 P층증착에 B2H6, CH4를, n층 증착에 PH3를 각각 사용하였다. ZnO 중간층 및 후면 반사막으로는 ZnO:A1203(2.5wt%)을 스파터링(sputtering) 하였으며 , 후면전극으로는 Ag를 사용하였다.
- 본 실험에서는 substrate SntVF가 텍스쳐 된 Asahi-U glass(Japan)를 사용하여 0.25㎠ 크기를 가지는 정사각형 형태의 전지를 그림 1 과 같이 제조하였다. 태양전지의 각 층은 화학 기상 증착장비 (Chemical Vapor Deposition CVD)를 활용하여 증착하였는데, p증 및 n증을 증착하기 위해서 RF magnetron CVD(RFCVD)를, 1중을 증착하기 위해서 고주파 화학 기상 증착장비 (Very high frequency CVD :VHFCVD)를 각각 사용하였다.
- 태양전지의 각 층은 화학 기상 증착장비 (Chemical Vapor Deposition CVD)를 활용하여 증착하였는데, p증 및 n증을 증착하기 위해서 RF magnetron CVD(RFCVD)를, 1중을 증착하기 위해서 고주파 화학 기상 증착장비 (Very high frequency CVD :VHFCVD)를 각각 사용하였다. 시편의 온도는 150~200℃ 사이로 유지하였으며 , 증착시 사용된 gas는 SiH4, H2및 P층증착에 B2H6, CH4를, n층 증착에 PH3를 각각 사용하였다. ZnO 중간층 및 후면 반사막으로는 ZnO:A1203(2.
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