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제안 방법
- I-V, C-V 특성은 Keithley207과 HP4192A 측정 장비를 이용하여 분석하였다.
- I-V측정을 통하여 문턱전압(0.84 V), 항복전압 (140 V)을 알 수 있었고, C-V 측정을 통하여 도핑농도 (Nd = 2.7 X 1019cm'3), 공핍층 두께 (61 nm) 등을 계산 하였다. 큰 항복 전압은 MEMS 기술의 응용에 큰 가능성을 보였지만 누설전류 또한 크게 나타났다.
- n-type Si wafer위에 APCVD 방법으로 1100℃에서 2시간 동안 다결정 3C-SiC 박막을 성장한 후 schottky diode를 제작하였고, 고 정밀 임피던스 측정기를 사용하여 정전용량을 측정하였다. 이 값을 이용하여 캐리어 밀도와 공핍층의 두께를 계산 하였다.
- 본 논문에서는 APCVD 방법을 이용하여 n-type과 p-type Si wafer 위에 다결정 3C-SiC를 성장하였다. 이것들에 Au와 A1 등의 금속 물질등을 증착하여 다결정 3C-SiC의 schottky와 p-n 접합 다이오드를 재작하였다.
- 본 연구에서는 HMDS를 이용하여 APCVD 방법으로 산화막이 증착된 Si wafer 위에 다결정 3C-SiC 박막을 성장하였고, 이것을 이용하여 다결정 3C-SiC의 schottky diode를 제작하였다. I-V측정을 통하여 문턱전압(0.
- diode를 제작하였고, 고 정밀 임피던스 측정기를 사용하여 정전용량을 측정하였다. 이 값을 이용하여 캐리어 밀도와 공핍층의 두께를 계산 하였다.
- 3C-SiC 박막은 2㎛의 두께를 가졌고, 우수한 막질임을 확인 하였다[5]. 준비된 기판을 세척하고 그림 1과 같은 형태로 RF sputter를 이용하여 schottky diode와 p-n 접합 다이오드를 제작하였다. n-type Si wafer에 성장한 다결정 3C-S1C 위에 두께 5000A, 지름 lmm 의 원형으로 Au를 증착 하여 schottky contact을 형성 하였다.
대상 데이터
- 이것들에 Au와 A1 등의 금속 물질등을 증착하여 다결정 3C-SiC의 schottky와 p-n 접합 다이오드를 재작하였다.
이론/모형
- n-type 과 p-type Si wafer 위에 다결정 3C-SiC를 Ar2, H2, HMDS 가스를 이용하여 APCVD 방법으로 성장하였다. 이때 HMDS 가스와 수소의 유량은 각각 1과 100 seem 이었으며, 118CTC에서 3 시간 동안 성장 하였다.
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