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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8, 2007 June 21, 2007년, pp.333 - 334
김강산 (울산대학교) , 정귀상 (울산대학교)
This paper describes the characteristics of poly (polycrystalline) 3C-SiC grown on SiOz and AlN substrates, respectively. The crystalline quality of poly 3C-SiC was improved from resulting in decrease of FWHM (full width half maximum) of XRD by increasing the growth temperature. The minimum growth t...
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