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문제 정의
- 따라서 이러한 낱장의 공정 불량 발생 시, 웨이퍼를 효율적으로 처리하기 위하여 매엽식으로 처리할 수 있는 방법에 대해 평가를 실시하였다. 본 연구에서는 무기 용제를 가지고 두께 3마이크로의 300mm KrF 웨이퍼를 완전 박리하였으며, 160nm 파티클 기준 50개 이하를 목표로 하였다.
- 수 있는 방법에 대해 평가를 실시하였다. 본 연구에서는 무기 용제를 가지고 두께 3마이크로의 300mm KrF 웨이퍼를 완전 박리하였으며, 160nm 파티클 기준 50개 이하를 목표로 하였다.
- 본 연구에서는 현재 양산에서 사용되고 있는 애싱 전 처리 후 배치식 장비로 처리하는 포토 레지스트 리워크 작업 시 발생되는 문제점인 공정 시간 및 약액 손실을 줄이기 위하여, 매엽식 장비로 포토레지스트 리워크 평가를 실시하였다. 실시 결과 두께 3마이크로 300mm KrF 포토 레지스트 웨이퍼의 박막이 육안상 완전히 제거되었으며, 90nm 기준 파티클이 35개 이하로 분포하는 결과를 확인하였다 본 연구에서는 포토레지스트를 제거하기 위해 점도가 높은 황산을 사용함으로써 점도를 고려한 공정조건이 필요함을 알 수 있었다.
- 평가결과 200rpm에서 완전 박리된 것을 확인할 수 있었다. 이 결과를 통해 웨이퍼 회전 속도가 황산도포에 영향을 주며, 포토레지스트 제거에도 영향을 주는 것이라 판단되어 사진2와 같이 웨이퍼 회전속도 별 포토레지스트 제거 결과를 확인하여보았다. 평가결과 황산 도포를 용이하게 하기 위해서는 웨이퍼를 회전시켜야 하며, 회전 시 속도는 저속일수록 포토레지스트가 잘 제거되는 것을 알 수 있었다.
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