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전류밀도 및 교반에 따른 Zn 수지상의 전착거동 분석 원문보기

한국방사성폐기물학회 2007년도 학술논문요약집, 2007 Nov. 15, 2007년, pp.283 - 284  

김시형 (한국원자력연구원) ,  유영재 (한국원자력연구원) ,  백승우 (한국원자력연구원) ,  권상운 (한국원자력연구원) ,  심준보 (한국원자력연구원) ,  김광락 (한국원자력연구원) ,  정흥석 (한국원자력연구원) ,  안도희 (한국원자력연구원)

초록
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75mA/$cm^{2}$ 이하에서는 Zn 석출물이 수지상으로 성장되지 않고 Ga 표면에 균일하게 전착되었으나, 85mA/$cm^{2}$ 이상에서는 수지상으로 성장하였다. 액체 Ga 표면에서 수지상 종자(seed)가 생성된 후에 그 종자를 중심으로 나뭇가지 모양으로 성장하였는데, 특히, bath stirrer와 가까운 영역에서 가장 빠르게 성장하였다. 또한, 수지상은 결합력이 매우 약하여 stirrer 에 의해 쉽게 파쇄됨을 확인하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 액체음극으로 회수되는 성분 중에서 Ue 수지상(dendrite)을 형성하는 경향이 있으며, 이 수지 상이 액체음극 표면에 부유하게 될 경우 음극으로 작용하여 U만 선택적으로 회수하게 되므로, 이를 방지하기 위해서 수지상을 파쇄할 수 있는 교반기가 개발되고 있다. 본 연구에서는 수지상 생성조건과 수지상의 물성을 이해하기 위하여, 수용액계에서 모의 액체음극인 Ga과 모의 수지상 재료인 Zn를 이용하여 전해반응에서의 수지상 생성/성장 조건과 교반기에 의해 수지상이 파쇄되는 거동을 관찰하였다.
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