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구리 박막의 표면형상과 물성에 대한 전류밀도 영향
Property and Surface Morphology of Copper Foil on the Current Density 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.20 no.10, 2010년, pp.555 - 558  

우태규 (전북대학교 공과대학 신소재공학부) ,  박일송 (전북대학교 공과대학 신소재공학부) ,  정광희 (전북대학교 공과대학 신소재공학부) ,  설경원 (전북대학교 공과대학 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This study examined the effect of current density on the surface morphology and physical properties of copper plated on a polyimide (PI) film. The morphology, crystal structure, and electric characteristics of the electrodeposited copper foil were examined by scanning electron microscopy, X-ray diff...

주제어

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문제 정의

  • 16-18) 따라서 본 논문에서는 폴리이미드 베이스 필름 위에 스퍼터 방식을 이용하여 seed layer 형성한 후 전해도금법을 이용하여 배선금속을 전착하였다. 이때 전류밀도를 달리하여 전착층의 결정구조 및 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 살펴 보았다.

가설 설정

  • 15)이러한 전해도금법을 이용하여 구리 박막 제조시 표면 형상과 구조 및 전기적 특성은 음극 전압, 전류밀도, 첨가제, 전해액의 조성과 같은 다양한 도금 변수에 영향을 받는다. 또한 어떤 금속을 기지로 사용하느냐에 따라 구리 핵 생성 및 결정성장에 영향을 미치고 동일 금속을 사용하는 경우에라도 기지의 표면 상태에 따라 전착층의 표면형상 및 결정구조에 영향을 미치는 것으로 알려져 있다.
  • 3. FCCL 에서 중요시 요구하는 물성중의 하나는 전착층의 유연성이다. 전착층의 높은 유연성을 확보하기 위해서는 높은 전류로 구리전착층을 형성하는 경우 보다 저전류를 이용하여 전착층을 형성하는 경우에 좀더 높은 유연성을 가진 전착층이 형성되었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
배선재료가 갖추어야 할 조건은 무엇인가? 1) 특히, 소자간의 전기적 연결을 위한 금속배선 형성 공정에 있어서 접촉부 및 금속선의 선폭이 10 µm이하로 작아짐에 따라 기존의 배선 재료와 공정 기술을 적용하는데 많은 문제점이 나타나고 있다.2) 배선재료가 갖추어야 할 조건은 전도성, 오믹접촉(Ohmic contact)형성, 기지와의 결합력, 공정의 용이성, 신뢰성, electromigration (EM)에 대한 내성 등 여러 가지가 있다.2,3) 그러나 소자 크기의 감소로 인한 배선 전류밀도의 증가로 생기는 소자 구동 전압의 손실을 줄이고 배선과 기판과의 정전 용량으로 인한 신호 전달지연(RC delay)을 감소시키기 위하여 배선 재료의 비저항을 줄이는 것이 매우 중요하다.
배선 재료의 비저항을 줄이는 것이 매우 중요한 이유는 무엇인가? 2) 배선재료가 갖추어야 할 조건은 전도성, 오믹접촉(Ohmic contact)형성, 기지와의 결합력, 공정의 용이성, 신뢰성, electromigration (EM)에 대한 내성 등 여러 가지가 있다.2,3) 그러나 소자 크기의 감소로 인한 배선 전류밀도의 증가로 생기는 소자 구동 전압의 손실을 줄이고 배선과 기판과의 정전 용량으로 인한 신호 전달지연(RC delay)을 감소시키기 위하여 배선 재료의 비저항을 줄이는 것이 매우 중요하다.1,4)
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참고문헌 (19)

  1. T. G. Chung, Y. H. Kim and J. G. Na, J. Kor. Inst. Met. 

  2. K. H. Hwang, K. I. Lee, S. K. Joo and T. Kang, J. Kor. 

  3. S. M. Sze, VLSI Technology, 2nd Ed, p. 373, McGraw 

  4. G. F. McGuire, Semiconductor Materials and Process 

  5. E. J. Lee and J. S. Kim, Journal of the Institute of Industrial 

  6. J. J. Kim and M. S. Kang, Hwahak Konghak, 39(6), 721 

  7. B. S. Min, W. S. Chung and I, G, Kim, J. Kor. Inst. Met. 

  8. A. Ibanez and E. Fatas, Surf. Coating. Tech., 191, 7 

  9. T. X. Liang, Y. Q. Liu, Z. Q. Fu, T. Y. Luo and K. Y. 

  10. Y. J. Song, J. H. Seo, Y. S. Lee and S. K. Rha, Kor. J. 

  11. H. S. Lee, H. S. Kim and C. M. Lee, J. Kor. Inst. Met. 

  12. J. W. Choi, T. S. Oh and Y. H. Kim, J. Kor. Inst. Met. 

  13. T. G. Woo, I. S. Park, H. W. Lee, M. H. Lee, E. K. Park, 

  14. S. C. Park, K. J Min, K. H. Lee, Y. S. Jeong and Y. B. 

  15. H. J. Kang, B. N. Park, S. J. Park and S. Y. Choi, Journal 

  16. P. V. Brande and R. Winand, Surf. Coating. Tech., 52, 1 

  17. Z. Zhou and T. J. O’Keefe, J. Appl. Electrochem., 28, 

  18. J. J. Yang, Y. L. Huang and K. W. Xu, Surf. Coating. 

  19. T. S. Kuan, C. K. Inoki, G. S. Oehrlein, K. Rose, Y. P. 

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