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NTIS 바로가기대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C, 1998 Nov. 28, 1998년, pp.850 - 852
김동진 (명지대학교 공과대학 전기공학과) , 길태현 (명지대학교 공과대학 전기공학과) , 황성수 (명지대학교 공과대학 전기공학과) , 김용상 (명지대학교 공과대학 전기공학과)
SiC thin film have been prepared by ICP-CVD for low temperature deposition and large area deposition. The structural properties of deposited SiC films are characterized by employing SEM, FT-IR, XRD, XPS and Raman Spectroscopy. From the experimetal results, good crystallinity has been achieved in
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