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문제 정의
- Wide bandgap 소자인 SiC의 가장 큰 특징이라 할 수 있는 것은 항복전압이 1000V이상이라는 점과 온도 특성이 125℃이상에서도 다른 소자들에 비해 월등히 우수하다는 점이다. 따라서 본 논문에서는 이와 같은 SiC 다이오드를 이용하여 다른 종류의 다이오드와 비교 Simulationi- 실시하였으며 비교적 큰 역저지 전압이 요구되는 Power Factor Collection (PFC)회로에 적용하여 제작 분석하므로써 온도변화에 따른 소자의 역회복특성의 우수성을 확인 하고자 하였으며 전력변환회로의 적용에 있어서 그 타당성을 입증하고자 한다.
- 본 논문에서 이용될 SiC를 이용한 전력변환 회로 구성은 불연속 전류 모드 역률 개선회로의 설계 예를 제시하는 것으로 한다. 주된 실험으로 온도변화에 따른 소자 특성을 추출하였으며 이 결과를 기존에 실제로 이용되고 있는 Si계의 다이오드인 Fast Recovery Diode, Ultra Fast Recovery Diode의 특성과 비교함으로써 SiC 다이오드의 전력변환응용에의 타당성을 입증하고자 한다.
- 한다. 주된 실험으로 온도변화에 따른 소자 특성을 추출하였으며 이 결과를 기존에 실제로 이용되고 있는 Si계의 다이오드인 Fast Recovery Diode, Ultra Fast Recovery Diode의 특성과 비교함으로써 SiC 다이오드의 전력변환응용에의 타당성을 입증하고자 한다. PFC 회로의 기본 동작은 Feedforward 제어에 의해 입력 전류의 파형을 입력전압의 파형에 추종하게끔 제어함으로써 입력 전류 파형을 정현파 형태로 해주어 역률을 개선하게끔 하는 것으로 PFC회로로는 인덕터 필터가 입력 측에 있는 BOOST 컨버터가 주로 이용된다.
- 비교특성 실험을 하기위한 다이오드로는 본 회로 정격에 만족한 FES8JT(FRD)와 UF5406(UFRD)그리고 Infineon 사의 SBD06S60(SiC SBD)를 각각 사용하여 온도변화에 따른 소자의 역회복 특성을 파악함으로써 SiC 다이오드의 전력변환회로에 적용성에 있어서 그 타당성을 입증하고자 한다.
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