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[국내논문] 플라즈마 공정 감시를 위한 Actinometric 광방사분광기 정보의 신경망 모델링
Neural Network Modeling of Actinometric Optical Emission Spectroscopy Information for Mo nitoring Plasma Process 원문보기

대한전기학회 2007년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문, 2007 Oct. 26, 2007년, pp.177 - 178  

권상희 (세종대학교) ,  황보광 (세종대학교) ,  이규상 (세종대학교) ,  우형수 (세종대학교) ,  김병환 (세종대학교)

초록
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플라즈마 공정집적회로 제작을 위한 미세 박막증착과 패턴닝에 핵심적으로 이용되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마공정감시와 제어에 응용될 수 있는 모델을 제안한다. 본 모델은 광방사분광기 (Optical emission spectroscopy-OES)정보와 역전파 신경망을 이용해서 개발하였다. 제안된 기법은 Oxide 식각공정에서 수집한 데이터에 적용하였으며, 체계적인 모델링을 위해 공정데이터는 통계적 실험계획법을 적용하여 수집되었다. Raw OES 정보대신, Actinometric OES 정보를 이용하였으며, 신경망의 예측성능유전자 알고리즘을 이용해서 증진시켰다. OES의 차수를 줄이기 위해 주인자 분석 (Principal Component Analysis-PCA)을 세 종류의 분산(100, 99, 98%)에 대해서 적용하였다. 최적화한 모델의 예측에러는 323 $\AA/min$이었다. 이전에 PCA를 적용하고 은닉층 뉴런의 함수로 최적화한 모델의 예측에러는 570 $\AA/min$이었으며, 개발된 모델은 이에 비해 43% 증진된 예측 성능을 보이고 있다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • BPNN의 학습인자를 최적화하기 위해 GA를 응용하였다. 각 학습인 자의 범위는 표 2에 나타나 있다.
  • 학습인자에는 학습허용도 (Training Tolerance-TT), 은닉층 뉴런수 (Numebr of Hid den Neurons~NHN), 초기웨이트의 크기 (Magnitude of Initial W Weight Distribution-MIWD), 그리고 은닉층 뉴련의 단극성 시그모이드 함수의 경사 (Gradient of Bipolar Sigmoid Funciton-GBSF), 출력층 뉴런의 선형함수의 경사 (Gradient of Linear Function-GL F)둥이 있다. 경우에 따라서는 주어진 TT에서 학습이 종료되지 않을 수도 있으며, 과대한 학습이 진행되는 것을 방지하기 위해 다른 학습종료 기준으로 Epoch를 각 기 10, 000과 50, 000으로 설정하여 평가하였다.
  • 본 연구에서는 Actinomtric OES 정보와 BPNN, 그리고 주인자분석 (Principal Component Analysis-PCA)를 이용하여 플라즈마 식각공정 모델을 개발한다. 다 수 학습인자의 영향은 유전자 알고리즘 GA를 이용하여 최적화하였다.
  • 테스트 패턴은 Boron이 도핑된, (100)방향의 Si 기판위에 형성하였으며, 보다 구체적인 내용은 참고문헌【3]에—세세히 기술되어 있다. 식각공정은 전술한 MERIE 장비를 이욤하여 CHF3/CF4 플라즈마에서 수행하였다. 체계적인 모델링을 위해 24-1 부분인자 샬험계획법 〔7] 이적용되었으며, 실험계획법에 이용된 공정변수와 범위는 표 1에 있다.
  • OES Spectra는 종 1881개의 라디칼 변수 정보를 포함하고 있다. 이를 신경망 입력패턴으로 이용하기에는 너무 변수가 많으므로 변수를 줄이기 위해 PCA를 적용하였으며, 데이터 분산 (Variance)는 100, 99, 그리고 98%로 설정하였다. 그 결과, 100, 99, 그리고 98%에대햬 16, 7, 그리고 5개로 변수의 차수가 감소하였다.
  • 세대 수는 100으로 설정하였으며, 따라서 유전자 동작은 세대수 100에서 종료된다. 전체 세대에서 발생한 모델 중 가장 작은 예측 에러를 보이는 모델을 결정하였다.

대상 데이터

  • 하부전극과 평행한 자력선은 챔버외부에 설치되어 있는 Electromagnetic 코일에 DC 전류를 전달하여 발생한다. 테스트 패턴은 Boron이 도핑된, (100)방향의 Si 기판위에 형성하였으며, 보다 구체적인 내용은 참고문헌【3]에—세세히 기술되어 있다. 식각공정은 전술한 MERIE 장비를 이욤하여 CHF3/CF4 플라즈마에서 수행하였다.
  • 수집된 데이터 공정변수 중심점에 해당하는 실험과 함께 BPNN 의 학습에 이용되었다. 학습된 모델의 예측성능은 다른 8개의 실험데이터를 이용하여 평가하였다’ OES의 파장 범위는 200-800 nm 이었다. Actinometric OES 데이터는 Raw OES 데이터를 7504 A에서 수집한 Ar 유량에 대한 Intensity로 나누어 구해진다.

데이터처리

  • OES 정보는 Oxide 박막의 플라즈마 식각공정 중에 통계적 실험계획법을 이용하여 수집되었다. 개발된 식각률 모델은 이미 보도된 모델 [3]과 그 성능을 비교 평가하였다.
  • 한편, 개발된 모델을 최근 발표한 모델 [3]과 비교하였다. 이 모델은 100%의 분산에서 학습인자의 영향을 최적화하지 않고 개발되었으며, 모델의 예측에러는 570 A/min 이었다.

이론/모형

  • BPNN의 은닉층은 하나이며, 학습 규칙으로는 일반화된 델타 규칙을 적용하였으며 뉴런간 웨이트 조정은(1)과(2)에 의해 이루 어셨다.
  • 다 수 학습인자의 영향은 유전자 알고리즘 GA를 이용하여 최적화하였다. OES 정보는 Oxide 박막의 플라즈마 식각공정 중에 통계적 실험계획법을 이용하여 수집되었다. 개발된 식각률 모델은 이미 보도된 모델 [3]과 그 성능을 비교 평가하였다.
  • 모델을 개발한다. 다 수 학습인자의 영향은 유전자 알고리즘 GA를 이용하여 최적화하였다. OES 정보는 Oxide 박막의 플라즈마 식각공정 중에 통계적 실험계획법을 이용하여 수집되었다.
  • 체계적인 모델링을 위해 24-1 부분인자 샬험계획법 〔7] 이적용되었으며, 실험계획법에 이용된 공정변수와 범위는 표 1에 있다. 수집된 데이터 공정변수 중심점에 해당하는 실험과 함께 BPNN 의 학습에 이용되었다. 학습된 모델의 예측성능은 다른 8개의 실험데이터를 이용하여 평가하였다’ OES의 파장 범위는 200-800 nm 이었다.
  • 식각공정은 전술한 MERIE 장비를 이욤하여 CHF3/CF4 플라즈마에서 수행하였다. 체계적인 모델링을 위해 24-1 부분인자 샬험계획법 〔7] 이적용되었으며, 실험계획법에 이용된 공정변수와 범위는 표 1에 있다. 수집된 데이터 공정변수 중심점에 해당하는 실험과 함께 BPNN 의 학습에 이용되었다.
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