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단결정 실리콘 TFT 제작을 위한 SLS 공정
Sequential Lateral Solidification Process for Fabrication of Crystalline Silicon Thin Film Transistor 원문보기

대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C, 2000 Nov. 25, 2000년, pp.461 - 463  

이윤재 (고려대학교 전기공학과) ,  박정호 (고려대학교 전기공학과)

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This paper presents a low temperature excimer-laser-crystallization that produces directionally solidified microstructure in Si thin films. The process involves (1) a complete melting of selected area via irradiation through a patterned mask. and (2) a precisely controlled pulse translation of the s...

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  • 4) 수직방향으로 계속해서 결정이 성장됨.〔1〕
  • 위의 그림과 같은 grain을 가지는 박막에 수직방향으로 소스와 드레인이 배열된 TFT 소자를 제작할 경우수직방향으로의 grain boundary가 거의 존재하지 않을 것이고 따라서 수직 방향으로 이동하는 운반자는 단결정 실리콘과 비슷한 이동도를 가지고 이동할 것이다.
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