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제안 방법
- 63x103 까지 도달시켰다 증착전에 타겟을 세척하기 위해 고순도 Ar을 5분간 20 SCCM을 유입시켜 플라즈마 방전상태에서 타겟의 불순물 및 산화물을 제거하였다. FE-SEM 장비를 이용하여 시편의 표면과 단면 및 막의 두께를 측정하고, XRD를 이용한 결정 배향성을 측정하였다.
- 9％ purity)타겟을 사용하였다. 기판에 TiN 박막을 증착하기 위해서 초고순도 질소와 초고순도 아르곤을 사용하였고, Ar과 N2가스의 분압조절은 MFC(mass flow controller) 에 의해 조절하였다. 유량단위는 SCCM(standard cubic sentimeter per minute)으로 설정하였다.
- 본 연구에서는 DC 반응성 스퍼터링 장비를 이용하였고 기판 바이어스인가를 위해 0 ∼ 1000V 까지 인가전압을 변화시켰다. 타겟은 직경이 4인치인 Ti(99.
- 유량단위는 SCCM(standard cubic sentimeter per minute)으로 설정하였다. 타겟과 시편의 거리는 70 mm로 고정하였고, TiN박막은 아르곤과 질소를 적절히 혼합한 분위기에서 증착하였다 로타리펌프와 터보펌프를 이용하여 챔버 초기압력을 1.63x103 까지 도달시켰다 증착전에 타겟을 세척하기 위해 고순도 Ar을 5분간 20 SCCM을 유입시켜 플라즈마 방전상태에서 타겟의 불순물 및 산화물을 제거하였다. FE-SEM 장비를 이용하여 시편의 표면과 단면 및 막의 두께를 측정하고, XRD를 이용한 결정 배향성을 측정하였다.
대상 데이터
- 본 연구에서는 DC 반응성 스퍼터링 장비를 이용하였고 기판 바이어스인가를 위해 0 ∼ 1000V 까지 인가전압을 변화시켰다. 타겟은 직경이 4인치인 Ti(99.9％ purity)타겟을 사용하였다. 기판에 TiN 박막을 증착하기 위해서 초고순도 질소와 초고순도 아르곤을 사용하였고, Ar과 N2가스의 분압조절은 MFC(mass flow controller) 에 의해 조절하였다.
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