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제안 방법
- 1973년 Dennard는 정전계 스켈링 이론의 기초 모델을 제시하였다. 5俱n 소자를 1㎛소자로 스켈링 하여 비교하였다. 이것은 디바이스의 중요한 파라미터들이 주어진 조건에 맞게 스켈링되면 MOS 디바이스의 특성과, 기본적인 동작특성이 유지될 수 있다는 것을 보여주고 있다[3][4].
- 이러한 작용에 의해서 이동도의 저하가 발생하게 된다. MicroTec 의 3가지 이동도모델을 사용하여 전류-전압 특성 곡선을 비교하였다. 각 모델의 파리미터는 표에 요약하였으며 사용되어진 파라미터 데이터는 MicroTec의 기본값을 사용하였다.
- 본 연구에서는 MicmTec을 이용하여 MOSFET 전송 특성을 분석하였다. 채널의 길이를 lOOnm 에서 25nm로 변화시키기 위하여 정전압 스켈링을 사용하였고, MicnyiHc의 3가지 이동도 또덾을 비교하였다.
- 특성을 분석하였다. 채널의 길이를 lOOnm 에서 25nm로 변화시키기 위하여 정전압 스켈링을 사용하였고, MicnyiHc의 3가지 이동도 또덾을 비교하였다. 채널의 길이가 짧아 질수록 드레인에 흐르는 전류가 증가함을 알 수 있었고, MicroTec3가지 이동도 모델중 Constant 모델이 Lombardi 모델과 Yamaguchi 모델보다 출력값이 더 높게 나타남을 볼 수 있었다.
대상 데이터
- 특성 곡선이다. 사용한 바이어스로는 소스 는 0V, 기판 0V, 드레인은 0V에서 IV씩 증가하여 8V까지 증가시켰으며 게이트 는 3V를 사용하였다. 채널의 길이가 짧아 질수록 드레인에 흐旦는 전류가 증가함을 알 수 있었고, Constant 모델의 경우 다른 두 모델에 비해 출력값이 높게 나타남을 볼 수 있다.
이론/모형
- 또한 수직 스켈링, 평면 스켈링 등 몇 가지 접근방법이 제안되기도 하였다.[5] 본 논문에서는 정전압 스켈링 방법을 사용하였다. 채널의 길이가 lOOnm일때를 기준으로 채널이 길이가 50nm일때 스케일링 인수를 2로, 25nm일 때는 스케일링 인수를 4로 선택하였다.
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