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MicroTec을 이용한 태양전지의 IV특성곡선 분석
Analysis of the Solar cell IV characteristic curve Process using MicroTec Tool 원문보기

한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회, 2009 May 29, 2009년, pp.667 - 670  

한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ,  이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ,  권오신 (군산대학교 전자정보공학부)

초록
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본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 태양전지의 IV특성곡선을 분석하였다. 태양전지의 IV특성곡선은 태양전지의 효율을 나타낸다. 효율을 높이기 위하여 전극이 직접 접촉하는 부분에 고농도의 형태를 취하고 나머지 전극이 없는 부분에 저농도 도핑으로 전면을 처리한다. 이때 고농도 층을 과대하게 불순물을 주입할 경우 전극부분의 재결합률이 상승하여 에너지 변환 손실로 이어진다. 본 연구에서는 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑의 농도를 결정하여 이의 IV특성곡선을 비교 분석 하고자한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 변환 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있는 새로운 태양전지 구조 및 재료 개발이 절실히 필요한 실정이다[2]. 본 논문에서는 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑의 농도를 결정하여 이의 IV특성곡선을 비교 분석 하고자한다. 2장에서는 이론적 배경에 대하여 설명할 것이며 3장에서는 시뮬레이션 방법 및 결과를 고찰하고 4장에서 결론을 맺을 것이다.
  • 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑의 농도를 결정하고 IV 특성곡선을 비교 분석 하기 위해 P-body의 도핑의 농도를 변화시켜 결과를 얻고자 하였다. 도핑의 농도를 1×1014-3이하, 1×1017-3 이상으로 지정하게 되면 IV 특성곡선에서 효율을 구할 수가 없기 때문에 P-body의 도핑 농도를 1×1014-3, 1×1015-3, 1×1016-3, 1×1017-3로 비교하였다.
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