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제안 방법
- 가공을 마친 324Pin 캐비티의 치수 정밀도를 분석을 위해 방전 Gap 0.2mm 로 제작된 캐비티에 대한 치수정밀도를 측정하였다. Fig.
- 실시하였다. 다음으로 최종적으로 사용할전극 형성을 위하여 PMMA 구조물을 가지고 Cu 전주도금을 실시하였다. Fig.
- 제작하였다. 또한, 제작된 Cu 전극을 이용하여 방전가공을 수행하여 방전특성을 분석하였다. 그 결과 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다.
- 먼저 Photomask 를 이용하여 X-선 마스크를 제작하고, 제작된 X-선 마스크를 이용하여 X-선노광을 실시하였다. 다음으로 최종적으로 사용할전극 형성을 위하여 PMMA 구조물을 가지고 Cu 전주도금을 실시하였다.
- 본 연구를 통해 초정밀 미세 가공의 차세대 가공기술이라 할 수 있는 LIGA 공정을 이용하여 Cu전극을 제작하였다. 또한, 제작된 Cu 전극을 이용하여 방전가공을 수행하여 방전특성을 분석하였다.
- 본 연구에서는 LIGA 공정을 응용한 BGA Test Socket 인서트의 Cu 전극 제작 및 방전성능 시험등을 수행하여 Cu 전극에 대한 방전가공 특성을 분석하였다.
- 실험은 LIGA 공정으로 제작된 Cu전극을 통해 방전가공을 수행하였으며, 324Pin을 갖는 BGA Test Socket-§- Cavity를 제작하였다.
- 전극 재질은 일반적인 Cu 성분과 같으며, 공정조건은 동-텅스텐 전극 방전 가공의 조건과 동일하게 적용하여 가공하였다.
대상 데이터
- 공정변수로는 2개의 Cu 전극을 방전 Gap 0.02mm와 0.05mm에 대해 각각 진행하였으며, 방전 가공기는 R0B0F0RM 35P를 사용하였으며 가공기 사양은 Table 1과 같다.
데이터처리
- 5, 6 은 캐비티의 설계 도면과 가공된 캐비티의 측정범위를 나타낸다. 측정은 실제 캐비티 도면의 흘 크기 및 피치간 거리와 방전 Gap 0.02mm 로 가공된 캐비티의 홀 크기 및 피치간 거리에 대해 3차원 형상측정기를 이용하여 5~10 회 측정한 값의 평균치를 산출하여 비교 분석하였다.
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