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제안 방법
- 버퍼층의 특성은 이후 성장될 GaN 구조의 특성에 큰 영향을 미치므로, 고품질의 GaN 성장을 질소화(Nitridation) 과정을 통해 버퍼층을 성장ㅎ아ㅕㅆ다. 성장된 a-plane GaN의 버퍼층의 구조적인 특성은 XRD (X-ray Diffraction)를 통해 분석되었으며, 광학적인 특성은 PL(Photoluminescence), 표면 특성은 AFM(Atomic Force Microscopre)을 통해 분석되었다.
이론/모형
- 본 연구에서는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapoer Deposition) 방법을 이용하여 r-plane 사파이어 기판위에 a-plane GaN 버퍼층을 성장하였다. 버퍼층의 특성은 이후 성장될 GaN 구조의 특성에 큰 영향을 미치므로, 고품질의 GaN 성장을 질소화(Nitridation) 과정을 통해 버퍼층을 성장ㅎ아ㅕㅆ다.
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