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문제 정의
- 그러나 최근 에피 기술의 발전으로 열팽창계수차에 의한 크랙 발생은 대부분 제어되고 있으며 Si 기판 자체에 의한 광 손실도 제2의 기판을 이용한 웨이퍼 본딩 공정법으로 성능에 있어서 상당한 진보를 이루게 되었다. 본 논문에서는 2인치 Si(111) 기판을 이용한 460nm 대역의 GaN 기반 LED 에피성장 법을 소개하고 웨이퍼 본딩법을 이용한 칩 제조 결과를 발표한다. GaN/Si LED 활성층은 고온 AlN 버퍼층 위에 성장되었으며 AlGaN 및 AlN 중간층을 이용하여 스트레스를 제어하였다.
- 그러나 근접장 나노광학 현미경은 이러한 전처리 공정이 없고 시료에 아무런 영향을 주지 않으므로 광특성 분석을 마친 후 동일 시료를 이용해 다른 실험을 하거나 소자제작단계로 진행할 수있게 된다. 본 발표에서는 자외선 근접장나노광학현미경을 이용한 InGaN/GaN 양자우물구조의 공간분해 발광특성연구와 공초점 electroluminescence 현미경(confocal scanning electroluminescence microscopy)을 이용한 LED 구조의 발광특성에 대한 연구결과들을 토론할 예정이다.
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