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[국내논문] 평판 디스플레이 세정을 위한 상압 플라즈마 에싱효과에 관한 연구
A Study on Ashing Effects of Atmospheric Plasma for the Cleaning of Flat Panel Display 원문보기

한국산학기술학회 2008년도 춘계학술발표논문집, 2008 May 22, 2008년, pp.302 - 305  

이건영 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부) ,  허용정 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부)

초록
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본 논문에서는 상압 플라즈마 방식이 적용된 반도체 에싱공정의 포토레지스트 에싱율을 향상시키기 위한 연구가 수행되었다. 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트의 에싱율을 높이기 위하여 공정에 다구찌 기법을 적용하여 실험하였다. 유의한 인자를 파악하고 적합한 인자의 조합을 결정하여 에싱율 향상을 위한 효율적인 접근을 시도하였다. 이 연구는 상압플라즈마 방식이 적용된 에싱공정에서 개별 인자가 지니고 있는 시스템에 대한 기여율에 대하여 나타내었으며 또한 포토레지스트 에싱에 대한 플라즈마의 효용성을 보여준다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 상압 플라즈마방식을 적용한 에싱 공정을 통하여 웨이퍼의 포토레지스트 에싱율(PR Ashing rate)를 향상시키기 위한 연구를 수행하였다. 반도체 공정에서 에싱 공정 기술은 탄화수소 화합물로 구성된 포토레지스트(Photo resist, PR)를 산화막 에칭 공정 후에 제거하기 위하여 사용된다.
  • 본 연구에서는 상압플라즈마를 이용한 에싱공정에 다구찌 기법을 연계하여 포토레지스트 에싱율을 향상시키기 위한 연구를 수행하였다. S/N비의 분석에 따라서 Voltage와 N2가 시스템의 환경에 가장 큰 영향을 줄 수 있는 유의한 인자라는 결론을 도출할 수 있었다.
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