제안 방법

• 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 PH₃(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다.
• 10 mTorr의 압력에서 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 460 mj/cm²의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 400/400 Å증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 650 ~ 800 ℃까지 60초 동안 열처리를 실시하여 TiSi₂ 박막을 형성하였다.
•  그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 400/400 Å증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 650 ~ 800 ℃까지 60초 동안 열처리를 실시하여 TiSi2 박막을 형성하였다.
•  접촉비저항 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다.
•  그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 400/400 Å증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 650 ~ 800 ℃까지 60초 동안 열처리를 실시하여 TiSi₂ 박막을 형성하였다. 그리고 TiSi₂의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction) 를 측정하였다. 접촉비저항 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다.