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[국내논문] Bi-layer channel large grain TFT의 channel width의 변화에 따른 전기적 특성 비교 분석 원문보기

한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집, 2010 Feb. 17, 2010년, pp.430 - 430  

이원백 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ,  박형식 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ,  박승만 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ,  이준신 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과)

초록
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MICC 방법으로 제작된 TFT는 large grain과 그에 따른 grain boundary의 감소로 인하여여, 소자의 전기적 특성을 좋게 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel의 large grain size TFT를 제작하여 소자의 전기적 특성을 비교하였다. Channel의 width / length의 크기는 각 각의 경우 $7/5{\times}2$, $10/5{\times}2$, $15/5{\times}2$ (${\mu}m$)로 하였다. 소자의 성능 측정 결과 Field-effect mobility의 경우에는 channel width가 증가할 수록 감소하는 경향성을 나타내었으며, Threshold voltage의 경우에는 조금 감소하는 경향성은 있었으나 변화의 폭이 매우 작았다. Output characteristics 의 경우에는 모든 set에서 좋은 saturation 특성을 보였다. 이것은 current croding이 없었다는 것을 의미하는데, 큰 grain size로 인한 효과로 해석 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel에서 corner effect에 중점을 두어 소자의 전기적 특성 변화에 대하여 논하였다.

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