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연합인증

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gate stack구조를 이용한 LTPS TFT의 전기적 특성 분석 원문보기

한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22, 2009 Nov. 12, 2009년, pp.59 - 59  

전병기 (성균관대학교 전자전기공학과) ,  조재현 (성균관대학교 전자전기공학과) ,  이준신 (성균관대학교 전자전기공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The efficiency of CMOS technology has been developed in uniform rate. However, there was a limitation of reducing the thickness of Gate-oxide since the thickness of Gate Dielectric is also reduced so an amount of leakage current is grow. In order to solve this problem, the semiconductor device which...

AI 본문요약
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제안 방법

  • 본 연구에서는 실리콘 이산화물보다 높은 유전 상수를 가지는 실리콘 질화무을 실리콘 이산화물과 갈이 듀얼모드 호 게이트 절연막을 형성시켰다, SiO2층은 20nm로 고정 시켰으며, SiNx층은 40nm와 80nm로 각각 쌓아올려 두 소자간의 전기적 튝성읋 비교, 분석하였다,
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