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Plasma를 통한 기판 전처리가 구리박막 성장에 미치는 영향 원문보기

한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회, 2009 Nov. 05, 2009년, pp.29.1 - 29.1  

진성언 (고려대학교 신소재공학과) ,  최종문 (고려대학교 신소재공학과) ,  이도한 (고려대학교 신소재공학과) ,  이승무 (고려대학교 신소재공학과) ,  변동진 (고려대학교 신소재공학과) ,  정택모 (한국화학연구원) ,  김창균 (한국화학연구원)

초록
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반도체 공정에서의 금속 배선 공정은 매우 중요한 공정 중 하나이다. 기존에 사용되던 알루미늄이 한계에 다다르면서, 대체 재료로 사용되고있는 구리는 낮은 비저항, 높은 열전도도, 우수한 electromigration(EM)저항특성 등을 바탕으로 차세대 nano-scale집적회로의 interconnect application에 적합한 금속재료로서 각광받고 있다. Electroplating을 위한 구리 seed layer CVD 공정은 타 공정에 비해 step coverage가 우수한 막을 증착할 수 있어 고집적 소자의 구현이 가능하다. 본 연구에 이용된 2가 전구체 Cu(dmamb)2는 높은 증기압과 높은 활성화 에너지를 가짐으로서 열적안정성 및 보관안정성이 우수하며, 플루오르를 함유하지 않아 친환경적이다. 구리 증착 전 기판에 plasma 처리를 하면 표면 morphology가 변함에 따라 표면 에너지가 변화하고, 이는 구리의 2차원 성장에 유리하게 작용할 것으로 여겨진다. Plasma의 조건변화에 따른 기판의 morphology 변화 및 성막된 구리의 특성 변화를 분석하였다.

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