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트렌치 식각 형상에 따른 신뢰성 향상
The reliability enhancement according to the trench etching profile 원문보기

한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8, 2007 June 21, 2007년, pp.127 - 128  

김상기 (한국전자통신연구원) ,  이주욱 (한국전자통신연구원) ,  김관하 (한국전자통신연구원) ,  박훈수 (위덕대학교) ,  김보우 (한국전자통신연구원) ,  구진근 (한국전자통신연구원) ,  강진영 (한국전자통신연구원)

초록
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고밀도 트렌치 게이트 전력소자 제조를 위해 HBr. He-$O_2$, $SiF_4$, $CF_4$ 등의 식각 가스를 이용하여 형성한, 트렌치 표면 거칠기 및 손상을 최소화 하여 고밀도 트렌치 게이트 전력소자를 제조하였다. 트렌치 형상 각도가 약 900일 경우 항복전압은 약 29 V인 반면, 트렌치 각도가 $88^{\circ}$일 경우 항복전압이 37V로 트렌치 형상에 따라 약 25%의 항복전압이 높아졌음을 알 수 있었다. n-채널 트렌치 게이트 전력소자의 전압-전류 측정 결과 트렌치 게이트 수가 45.000개일 때 게이트에 10 V를 인가했을 때 전류는 약 46 A로 측정되어 고밀도 트렌치 게이트 전력소자의 특성이 좋음을 알 수 있었다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 특히 실리콘 식각을 위한 에칭 가스들은 일반적으로 HBr, Cl2, S%, NH3, SiF4, CF4 등여러 가스들을 혼합하여 특성에 맞는 조건을 개발하여 공정에 적용시키고 있다. 본 연구에서는 고밀도 트렌치 게이트 전력소자 제조를 위해 트렌치 형성 후 실리콘 표면의 저 손상화, 트렌치 형성 각도의 최적화를 위해 식각 가스의 비 조정과 고밀도 트렌치 형성 후 내부채움에 따른전기적 특성 등을 측정하였다.
  • 본 연구에서는 트렌치게이트 전력소자 제조 과정 중트렌치 식각 형성에 따른 신뢰성을 측정하였다. 식각 장비는 MERIE(magnetic enhancement reactive ion etching) 방식을.
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