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[국내논문] LDD 길이 변화에 따른 poly-Si TFT의 특징
The characteristics of poly-Si TFTs with various LDD 원문보기

한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8, 2007 June 21, 2007년, pp.93 - 94  

손혁주 (성균관 대학교) ,  김재홍 (성균관 대학교) ,  이정인 (성균관 대학교) ,  이준신 (성균관 대학교)

초록
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다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로 $SiN_x$, $SiO_2$의 이중 구조를 갖는다. 다양한 LDD에 따른 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압($V_{TH}$), ON/OFF 전류비 ($I_{ON}/I_{OFF}$), 포화전류($I_{DSAT}$)는 TFT의 보다 좋은 성능을 위해 연구된다. 짧은 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압은 작고, 포화전류의 값은 크다. 또한 긴 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT는 작은 kink effect를 가진다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • P시火Si TFT를 위한 게이트 유전 소자로써 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposited)틀 이용한 SiO2/SiNx 이증 구조의 사용은 모바일 이온의 오염을 줄이고 게이트 산화물 변질을 개선하기 위해 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 제작된 n-channel poly-Si TFT의 우수한 특성을 얻기 위하여 LDD 길이에 다른 특징을 연구하였다.

가설 설정

  • TFT의 응용을 위한 소자로써 낮은 문턱전압이 필요할 패 LDD 길이가 0.5 um 인 n-type poly-Si TFT가 우수하게 사 基 될 것이다. LDD 길이가 2 um 인 n-channel poly-Si TFT는 kink effect를 감소시킨다.
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