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제안 방법
- 그러기 위해서는 절연성이 좋은 oxide층을 사용해야 하는데 본 실험에서는 SiCh를 사용하였으며 highK 물질을 사용하여 oxide층으로 사용한다면 누설전류량이 줄어들 것이다. 그래프로부터 W/L ratio에 따른 threshold voltage (Vth), on/off current ratio (Ion/Ioff), saturation current (Idsat), transconductance (gm)을 조사하였다. 즉, W/L이 증가할수록 Vth, Idsat, Ion/Ioff, gm号이 증가함을 알 수 있었다
- 본 논문에서는 length와 width멸로 그림 1과 같이 TFT를 제작하였다. Length는 4, 7μm width는 2, 4, 8, 10, 20, 30]im이다.
- 본 논문에서는 그림 1에서와 같이 TFT를 제작하여 channel length와 width에 따른 특성을 분석하였다.
- Length는 4, 7μm width는 2, 4, 8, 10, 20, 30]im이다. 여기서 width는 2μm와 30um을 분석하여 각각의 툮성을 비교하는 한편, W/L에 따른 TFT 특성을 조사하였다. 측정은 keithley SCS-4200 semiconductor test analyzer® 이용하여 room temperature에서 츢정을 하였다.
- 여기서 width는 2μm와 30um을 분석하여 각각의 툮성을 비교하는 한편, W/L에 따른 TFT 특성을 조사하였다. 측정은 keithley SCS-4200 semiconductor test analyzer® 이용하여 room temperature에서 츢정을 하였다. 죽정된 결과를 그림 2에 나타내었다.
대상 데이터
- 엑시머 레이저 어 닐링(Excimer Laser Annealing, ELA)을 이용하여 제작되는 .저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 (Polycrystalline Silicon Thin Film Transi아ors, poly-Si TFT)는 높은 전계효과 이동도를 가지고 있어 유리 :기판 우I에 구동 회로와 화소부분을 함께 집적할 수 있는 장점이 있다[1-3].
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