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IZTO 애노드를 이용하여 제작한 인광 OLED 및 플랙시블 OLED 특성
Characteristics of phosphorescent OLEDs and flexible OLED fabricated indium-zinc-tin-oxide anode 원문보기

한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8, 2007 June 21, 2007년, pp.399 - 400  

최광혁 (금오공과대학교 정보나노소재공학과) ,  배정혁 (금오공과대학교 정보나노소재공학과) ,  문종민 (금오공과대학교 정보나노소재공학과) ,  정진아 (금오공과대학교 정보나노소재공학과) ,  김한기 (금오공과대학교 정보나노소재공학과) ,  강재욱 (서울대학교 OLED센터) ,  김장주 (서울대학교 OLED센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this work, we have investigated the characteristics of the phosphorescent OLED and flexible OLED fabricated on IZTO/glass and IZTO/PET anode film grown by magnetron sputtering, respectively. Electrical and optical characteristics of amorphous IZTO/glass anode exhibited similar to commercial ITO a...

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제안 방법

  • 성 막된 IZTO 애노드는 구조적 특성 분석을 위해 XRD, SEM, AFM 분석믈 이용하였다. Glass 기판 상에 성막된 IZTO 박막의 투과도는 UV/Vis spectrometer를 이용하여 특성을 분석하였다. 또한 fbur-point probe를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS 분석을 이용하여 RF 파워에 따른 In, Zn, Sn, 0의 계면 반응을 분석하였다.
  • 또한 fbur-point probe를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS 분석을 이용하여 RF 파워에 따른 In, Zn, Sn, 0의 계면 반응을 분석하였다. RF magnetron sputtering으로 제작된 IZTO 애노드 상에 인광 물질인 a-NPB/ Ir(ppy)3-doped CBP / BCP / Alq3 / LiF / Al 구조의 플렉시블 인광 유기 발광 소자를 제작하여 그 븍성을 분석 하였으며, 동일한 과정으로 IZTO 애노드를 PET 기판상에 성막하여 유기발광소자를 제작, 그 특성 차이를 확인하였다.
  • RF 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이基하여 glass 기판과 PET 기판 상에 IZTO 애노드 박막을 성막하였다. RF 파워(30W~ 110W)와 작업 압력(1~lOmTorr), 타겟과 기판 거리(100mm), 가스 유입량(20sccm)등을 최적화 하였으며 이에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성들을 분석하였다.
  • RF 파워(30W~ 110W)와 작업 압력(1~lOmTorr), 타겟과 기판 거리(100mm), 가스 유입량(20sccm)등을 최적화 하였으며 이에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성들을 분석하였다. 성 막된 IZTO 애노드는 구조적 특성 분석을 위해 XRD, SEM, AFM 분석믈 이용하였다.
  • Glass 기판 상에 성막된 IZTO 박막의 투과도는 UV/Vis spectrometer를 이용하여 특성을 분석하였다. 또한 fbur-point probe를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS 분석을 이용하여 RF 파워에 따른 In, Zn, Sn, 0의 계면 반응을 분석하였다. RF magnetron sputtering으로 제작된 IZTO 애노드 상에 인광 물질인 a-NPB/ Ir(ppy)3-doped CBP / BCP / Alq3 / LiF / Al 구조의 플렉시블 인광 유기 발광 소자를 제작하여 그 븍성을 분석 하였으며, 동일한 과정으로 IZTO 애노드를 PET 기판상에 성막하여 유기발광소자를 제작, 그 특성 차이를 확인하였다.
  • 그 특성을 평가하였다. 또한 최적화된 조건의 IZTO anodes 이용하여 glass 기판과 PET 기판 상에 유기발광소자플 제작하였으며 그 특성을 c니TO/이ass 애노드와 c-ITO/PET 애노드 상에 제작된 유기발광소자의 특성과 비교하였다. 상온 공정으로 비정질의 IZTO 애노드를 성막하였고 500~550nm 구간에서 85% 이상의 높은 투과도를 나타내었다.
  • IZTO 애노드 박막의 경우 비정질 구조를 상온 제작할 수 있으며 전기적, 광학적, 구조적 특성 또한 매우 우수하여 플렉시블 디스플레이뵹 애노드 제작에 있어 적합한 재료로 보고되고 있다. 본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 PET 기판과 Glass 기판 상에 비정질 IZTO 애노드 막막을 각각 성막 하였으며, 또한 성막된 IZTO 애노드 상에 저뿐자 유기물믈 증착하여 인광 유기발광 다이오드를 제작하였으며 Glass 기판과 PET 기판에서의 유기발광소자븎 성을 관잘 하였다.
  • 상온에서 RF 스퍼터를 사용하여 IZTO 애노드를 성 막하였으며, IZTO의 구조적, 표면적, 광학적, 전기적 특성을 최적화하여 그 특성을 평가하였다. 또한 최적화된 조건의 IZTO anodes 이용하여 glass 기판과 PET 기판 상에 유기발광소자플 제작하였으며 그 특성을 c니TO/이ass 애노드와 c-ITO/PET 애노드 상에 제작된 유기발광소자의 특성과 비교하였다.
  • RF 파워(30W~ 110W)와 작업 압력(1~lOmTorr), 타겟과 기판 거리(100mm), 가스 유입량(20sccm)등을 최적화 하였으며 이에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성들을 분석하였다. 성 막된 IZTO 애노드는 구조적 특성 분석을 위해 XRD, SEM, AFM 분석믈 이용하였다. Glass 기판 상에 성막된 IZTO 박막의 투과도는 UV/Vis spectrometer를 이용하여 특성을 분석하였다.
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