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제안 방법
- 성막 시켰다. 성막 공정 동안 DC 파워와 IZO 애노드 박막의 두께는 각각 100W, 30nm 로 고정 하였으며 성으t 된 IZO 상에 evap이"atoi.를 이용하여 Ag층의 두께를 변수 (6, 8, 10, 12nm)로 성막 하였다.
- 12 nm 두께의 Ag충을 가진 플렉시블 IAI 애노드 박막과 상용화된 ITO/Glass 애노드 박막을 이용하여 Al/LiF/Alq3/BCP/Ir[ppy]3 doped CBP/a-NPB/anode/PC 구조의 유기발광소자플 제작하였으며 전류.전압.
- DC 스퍼터 시스템 (IZO) 과 thermal evaporator (Ag)를 이용하여 IAI 구조의 애노드 박막을 성막 하였다. 12 nm 두께를 가진 IAI 애노드로부터 6.
- 그림 3. IZO/Ag/IZO 애노드와 상용화된 ITO/Galss 애노드를 이용하여 제작한 유기발광소자의 전류.전압.
- ZnO (10wt%)가 도핑된 In2O3 (90wt%) 타겟이 장착된 DC스파터를 이용하여 PC 기판 삼에 비정질 IZO 애노드를 성막 시켰다. 성막 공정 동안 DC 파워와 IZO 애노드 박막의 두께는 각각 100W, 30nm 로 고정 하였으며 성으t 된 IZO 상에 evap이"atoi.
- 9 Q/□의 매우 낮은 면저항을 얻을 수 있었으며 Ag층의 두께가 두꺼워짐에 따라 투과도가 향상됨을 확인할 수 있었다. 또한 IAI 애노드를 이용하여 제작한 플렉시블 유기발광 소자의 전류.전압.
- I시 에노드 박막의 광학적, 구조적 특성을 분석하기 위해 UV/Vis spectrometer 와 XRD (X-ray diffraction)을 각각 이용 하였으며 전기적 특성을 분석하기 위해 4-Point probe를 이용하였다. 또한, AES (Auger electron spectroscopy) 와 SEM (Scanning electron microscopy) 분석을 통해 IAI 애노드 막막의 구조적 특성을 분석하였다. 이렇게 제작된 IAI 애노드 박막을 이용하여 Al/LiF/Alq3/BCP/Ir[ppy]3 doped CBP/a-NPB/IZO/Ag/IZO/PC 구조의 플렉시블 유기발광소자를 제작하였으며 전류-전압 -휘도 특성을 상용화된 ITO/Glass 애노드를 이용하여 제작한 동일한 구조의 유기발광소자와 비교하였다.
- 또한, 최적화된 IAI 애노드를 이용하여 유기발광소자룔 제작하고 전류-전압-휘도 특성을 상용화된 ITO/Glass 애노드를 이용하여 제작한 동일한 구조의 유기발광소자와 비교 하였다.
- 성막 공정 동안 DC 파워와 IZO 애노드 박막의 두께는 각각 100W, 30nm 로 고정 하였으며 성으t 된 IZO 상에 evap이"atoi.를 이용하여 Ag층의 두께를 변수 (6, 8, 10, 12nm)로 성막 하였다. 이때의 진공도는 2X10* Torr 이하로 유지 했으며 증착율은 thickness monitoc를 이용하여 0.
- 또한, AES (Auger electron spectroscopy) 와 SEM (Scanning electron microscopy) 분석을 통해 IAI 애노드 막막의 구조적 특성을 분석하였다. 이렇게 제작된 IAI 애노드 박막을 이용하여 Al/LiF/Alq3/BCP/Ir[ppy]3 doped CBP/a-NPB/IZO/Ag/IZO/PC 구조의 플렉시블 유기발광소자를 제작하였으며 전류-전압 -휘도 특성을 상용화된 ITO/Glass 애노드를 이용하여 제작한 동일한 구조의 유기발광소자와 비교하였다.
- 25 A/sec로 고정 시켜 Ag박막의 두께를 조절하였다. 이렇게 제작된 IZO/Ag 상에 IZO를 처음과 동일한 조건으로 성막하여 IAI 구조의 애노드 박막을 제작하였다. I시 에노드 박막의 광학적, 구조적 특성을 분석하기 위해 UV/Vis spectrometer 와 XRD (X-ray diffraction)을 각각 이용 하였으며 전기적 특성을 분석하기 위해 4-Point probe를 이용하였다.
- 이에 본 연구에서는 산화아연을 기반으로한 일함 수가 높은 IZO 전극을 이용하여 Ag 층의 두께를 변수로 IZO/Ag/IZO (IAI) 구조의 다충 박막을 형성하였으며 Ag 중의 두께 변화에 따른 IAI 애노드 막막의 특성을 분석 하였다. 또한, 최적화된 IAI 애노드를 이용하여 유기발광소자룔 제작하고 전류-전압-휘도 특성을 상용화된 ITO/Glass 애노드를 이용하여 제작한 동일한 구조의 유기발광소자와 비교 하였다.
이론/모형
- 이렇게 제작된 IZO/Ag 상에 IZO를 처음과 동일한 조건으로 성막하여 IAI 구조의 애노드 박막을 제작하였다. I시 에노드 박막의 광학적, 구조적 특성을 분석하기 위해 UV/Vis spectrometer 와 XRD (X-ray diffraction)을 각각 이용 하였으며 전기적 특성을 분석하기 위해 4-Point probe를 이용하였다. 또한, AES (Auger electron spectroscopy) 와 SEM (Scanning electron microscopy) 분석을 통해 IAI 애노드 막막의 구조적 특성을 분석하였다.
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