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제안 방법
- 본 연구에서는 3C-SiC 버퍼층을 이용하여 M/NEMS용 다결정 A1N 박막을 펄스 직류 반응성 마그네트론 스퍼터링 방식으로 Si 기판위에 증착하였다. 주상형 구조룔 가진 A1N 박막이 FE-SEM 이미지를 통하여 관찰되었다.
- 본 연구에서는 FE-SEM (JEOL JSM 6500F), HRXRD (Philips X'Pert Pro-MRD), FT-IR (FTS-2000 Scimitar spectrometer) 를 이용하여 3C-SiC 버퍼층위에 증착된 A1N 박막의 구조적인 특성을 분석하였다.
- 본 연구에서는 펄스 직류 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 A1N 박막을 다결정 3C-SiC 완충충 위에 성장하였다 증착된 박막의 구조적 특성은 전계방사 주사전자 현미경 (FE-SEM, Field emission scanning electron microscope), X-ray 회절 그리고 FT-IR (Fourier transform infrared spectroscopy)를 이용하여 각각 분석 및 평가하였다.
대상 데이터
- 본 연구에서는 800 nm 두께의 열산화막이 있는 Si 기판을 이용하여, (111) 배향성을 가지는 다결정 3C-SiC 박막을 APCVD법으로 증착시켰다. 이패, 증착온도는 1100 t 였고, 캐리어 가스는 아르곤과 수소가 혿합된 기체, 전구체로서는 HMDS (Hexamethyldisilane: (CHeSi, )틀 사용하였다.
- APCVD법으로 증착시켰다. 이패, 증착온도는 1100 t 였고, 캐리어 가스는 아르곤과 수소가 혿합된 기체, 전구체로서는 HMDS (Hexamethyldisilane: (CHeSi, )틀 사용하였다. 그 후, 40 kHz 펄스 직류 마그네트론 반응성 스퍼터링 장비를 이용하여 다결정 A1N 박막을 3C-SiC 완충 충 위에 증착하였다.
- 방식으로 Si 기판위에 증착하였다. 주상형 구조룔 가진 A1N 박막이 FE-SEM 이미지를 통하여 관찰되었다. XRD와 FT-IR 분석결과로 부터 3C-SiC 버퍼층을 이용하여 증착된 A1N 박막은 우수한 (002) 배향성을 갖는 반면에, 결함 또한 존재함을 확인하였다.
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