제안 방법

• 고!' Bottom에 위치시켜 적층하여 소성시킨 PLAS 방식을 적용하였다. 소성 후 수축억제 및 희생층으로 샤容된 Alumina tape을 제거하고 capacitancee 측정하였으며 리세구조套 확인하였다.
• 6과 65를 갖는 이종재료를 소결밤식에 따라 이종접합 Embedded Capacitor를 제조하였다. Free Sintering 시'이종재료의 수축거동의 차이에 의해 발생한 camber를 PLAS 방식의 Constrained Sintering을 적용하여 해결하였으며 capacitance 값이 유전율 수치 상 약 8.5배의 1' 1 비율이 아닌 것은 Constrained Sintering 공정 특성 상완 전한 치밀화를 이루지 못했기 때문이라 판단되며 미세구조를 통해 확인하였다.
• 본 논문에서는 유전율 7.6과 65를 갖는 이종재료를 소결밤식에 따라 이종접합 Embedded Capacitor를 제조하였다. Free Sintering 시'이종재료의 수축거동의 차이에 의해 발생한 camber를 PLAS 방식의 Constrained Sintering을 적용하여 해결하였으며 capacitance 값이 유전율 수치 상 약 8.
• 본 논문에서는 저유전율, 고유전율 재료의 이종접합을 PLAS 방식의 Constrained Sintering을 적용하여 Embedded Capacitor■를 제조하여 소성툒성 및 C叩ac血m泪 값을 평가하였다';
• 소성 후 수축억제 및 희생층으로 샤容된 Alumina tape을 제거하고 capacitancee 측정하였으며 리세구조套 확인하였다.
• :아종접합「.재료로 각각 7.6과 .65의 유전률을 갖는 상용 powder를 사용하여 유기물을 첨가하여 슬러리를 제조 한 후 tape casting 하여 she안를 제조하였다, 제조된 sh沮에 mndgor를 형성하기 위丽 pattern printing 한 후 야acking, lamination을 실시하였다. 여기서 capacitor 구현은 유전율 7.