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제안 방법
- Waferl 사용하였다. Si 식각 공정에서 mask로 사용될 패턴을 형성하기 위해 Wafer 표면에 Photo-lithography를 이용하여 PR 패턴을 형성하였다.
- 본 실험에서는 식각 반응 후 표면의 거칠기를 완화하기 위한 실험을 진행하였다, 이를 위해서 식각을 완화 시켜주기 위해 첨가하는 용액으로 IPA 를 사용한 실험과 Ethanol을 사용한 실험을 진행하였으며, 환경주사전자현미 S (Environmental Scanning Electron Microscope, ESEM)을 이용한 표면 분석을 통해 두 용액을 사용했을 경우의 막질을 田교 분석하였다.
- 위한 실험을 진행하였다. 실험을 위해서 SiO2 Wafer 위에 Photolithography릂 통해 형성시킨 PMER 패턴믈 마스로 사용하여 SiO2B 습식 식각하였고, 다시 KOH 용액을 사용하여 Si을 습식 식각하몄다. 이 패, K0H 용액에 IPA를 섞어서 사용하는 실험과 Ethan이을 섞어서 사용하는 실험을 각각 진행하여 두 경우의 표면을 ESEM 을 통해서 분석하였다.
- 실험을 위해서 SiO2 Wafer 위에 Photolithography릂 통해 형성시킨 PMER 패턴믈 마스로 사용하여 SiO2B 습식 식각하였고, 다시 KOH 용액을 사용하여 Si을 습식 식각하몄다. 이 패, K0H 용액에 IPA를 섞어서 사용하는 실험과 Ethan이을 섞어서 사용하는 실험을 각각 진행하여 두 경우의 표면을 ESEM 을 통해서 분석하였다.
- PMER의 경우에는 다른 PR에 비해 HF 용액이나 H2SO4 용액 등의 산성 용액 속에서도 구조물의 형태가 直트러지지 않은 채 유지되는 것이 발견되었다. 이를 활용해서 PMER을 mask로 사용하여 HF 용액 속에서 SiO2 식각 실험을 진행할 수 있었다. 이 방법은 플라즈마 장비를 이용한 건식 식각 공정 대신에 습식식각 공정을 사용할 수 있게 되어 공정비용 및 시간에 있어서 이점을 가질 수 있다.
- 형성된 SiO2 패턴을 mask로 이용하여 Si 식각 실험을 진행하였다. 이방성 식각을 위해 KOH (23.
대상 데이터
- 실험을 위해 100nm 두께의 Si6를 (100) Si 위에 증착한 Waferl 사용하였다. Si 식각 공정에서 mask로 사용될 패턴을 형성하기 위해 Wafer 표면에 Photo-lithography를 이용하여 PR 패턴을 형성하였다.
- 이방성 식각을 위해 KOH (23.4wt%), IPA (13.3wt%), DI Water (63.3wt%) 의 혼합 용액과 KOH (23.4wt%), Ethanol (13.3wt%), DI Water (63.3wt%)의 용액을 사용하였으며, 50C에서 15분동안 친행하였다.
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