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제안 방법
- Tetra-isopropyl titanate[(OC3H2)4Ti]^ O2 51pm을 이용하여 TiO2 박막을 생성하였고, N? 51pm을 각각 carrier gas와 bubbler gas로 사용하였다. Chamber 내부의 기판 온도를 35O℃로 고정하여 실험을 진행하였고, Tetra-isopropyl titanat이:(。。阳2)4이은 60℃로 가열하였다. 증착 시간은 4에서 14분 동안 진행하였고, 증착의 균일성을 위하여 5叩m의 속도로 chamber 내부를 회전하였다.
- 증착 시간은 4에서 14분 동안 진행하였고, 증착의 균일성을 위하여 5叩m의 속도로 chamber 내부를 회전하였다. TiO2 증착 실험이 끝난 후 각 시료의 두께와 굴절률은 ellipsometer 로 측정하였고 SEM(Scanning Electron Microscope)으로 표면을 분석하였匚k EvaporatorB 사용해 TiO2 박막 위에 A1 을 3000A 증착하였으며 제작된 MIS 소자의 C叩acitance-V이tage (C-V) 측정은 Impedance analyzer와 MDC system을 사용하였다.
- 본 연구에서는 APCVD chamber 내에서 각각의 실험 조건은 고정시키고 Tetra-isopropyl titanateKOCsHDJTi]와 O의 반응시간을 가변 하여 생성된 TiO2 박막의 두게, 굴절률, SEM(Scanning Electron Microscope), C-V 특성을 측정, 분석하였다.
대상 데이터
- 그림 1은 TiO2 증착실험 시 사용된 APCVD장비 구조이다. Tetra-isopropyl titanate[(OC3H2)4Ti]^ O2 51pm을 이용하여 TiO2 박막을 생성하였고, N? 51pm을 각각 carrier gas와 bubbler gas로 사용하였다. Chamber 내부의 기판 온도를 35O℃로 고정하여 실험을 진행하였고, Tetra-isopropyl titanat이:(。。阳2)4이은 60℃로 가열하였다.
이론/모형
- p-type (100) 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, RCA 방법으로 세정한 후 APCVD장비의 chamber에 장착하였다. 그림 1은 TiO2 증착실험 시 사용된 APCVD장비 구조이다.
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