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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.67 - 68
송재열 (동의대학교 전자공학과) , 강인호 (한국전기연구원) , 방욱 (한국전기연구원) , 주성재 (한국전기연구원) , 김상철 (한국전기연구원) , 김남균 (한국전기연구원) , 이용재 (동의대학교 전자공학과)
In this study we have developed a packaged silicon carbide power diode with blocking voltage of 2kV. PiN diodes with 7 field limiting rings (FLRs) as an edge termination were fabricated on a 4H-SiC wafer with
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