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제안 방법
- 2 앵커, 4 앵커 단위 소자에 대하여 MEMS 공정을 위한 leg 길이, leg 폭, Z1 리고 Fill Factorl 설계인자로 하였오며, 실험계획법으로 2인자 2수준 설계하였다. FEM 해석에 의해 캔틸레버의 열 및 잔류 응력에 의한 Z-축 변위값과열시상수의 값을 여[측하였다.
- 하다. 3가지의 반응변수冒 동시에 만족하는 해석 값을 찾았다.
- 2인자 2수준 설계하였다. FEM 해석에 의해 캔틸레버의 열 및 잔류 응력에 의한 Z-축 변위값과열시상수의 값을 여[측하였다.
- 제작된 하부전극 위에 폴리이미트 희생 층을 도포하고, 그 위에 PECVD틀 이용하여 약 200 nm 의 비정질 Si을 증착시킨다. 다응으로 전극 및 앵커로서 Ti/Au 을 형성하였으며, 플라즈마 asher를 이용하여 희생층을 제거하여 단위 픽셀 (pix이)을 왼성하였다.
- 볼로 미터는 air gap을 가지는 마이로 캔틸레버 구조로서 2개 내지 4개의 앵커로 지탱 되어지며, 열적 고립을 최대화하기 위해 지지 다리의 선폭을 좁게 하고, 길 이를게 하여 열전도율을 낮게 하는 구조로서 선폭을 2um로설계하였다. 도핑된 비정질 실리콘 박막의 두께는 0.
- a-Si 감지 층으로 단위소자를 제작하여, fill fact。:.에 따른 검출 특성을 비교하였다. 이러한 데이터는 적외선 검츯기를 제작하여 실제 응용분야에서 분해능이 lOOmK 이하인 카메라 틀 개발하는데 유용할 것으로 사료된다.
- 영역에서 약 90% 이상을 나타냈다. 열젂 해석에 의해 나타난 변형력과 열시 상수는 앵커의 수에 큰 차이를 보이지 않았지만, Fill Factors 차이가 있으므로 적외선 반응도 및 탐지도 측정을 통해 반응면적에 따른 검출 특성을 평가하였다.
- 우선 SiNx 기판 위에 스퍼터 장비룔 이용하여 약 200 nm 의 A1 을 증착시키고, 아를 식각하여 mirror 및 하부 전극을 제작하였다. 제작된 하부전극 위에 폴리이미트 희생 층을 도포하고, 그 위에 PECVD틀 이용하여 약 200 nm 의 비정질 Si을 증착시킨다.
대상 데이터
- 도핑된 비정질 실리콘 박막의 두께는 0.2 M m, 픽셀 기는 44 Um 픽셀이며, 앵커 및 leg 등의 크기 및 형상은 MEMS 공정을 고려하여 결정하였다.
- 뽄 연구에서 제작한 센서의 구조는 최 상무에 매우 얇은 금속 박막과 최하부 금속층인 반 사증과 흡수되는 중심파장에 대하여 공명 흡수되는 구조로 구성되어 있다. 우선 SiNx 기판 위에 스퍼터 장비룔 이용하여 약 200 nm 의 A1 을 증착시키고, 아를 식각하여 mirror 및 하부 전극을 제작하였다.
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