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게이트 절연막 활용을 위한 TEOS/Ozone 산화막의 전기적 특성 분석
Electrical characteristic analysis of TEOS/Ozone oxide for gate insulator 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.89 - 90  

박준성 (성균관대학교) ,  김재홍 (성균관대학교) ,  이준신 (성균관대학교)

초록
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본 연구에서는 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 에서 사용하는 유해 가스인 $SiH_4$ 대신에 유기 사일렌 반응 물질인 TEOS(Tetraethyl Orthosilicate, Si$(OC_2H_5)_4)$를 이용하여 상압 화학 기상 증착법 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)으로 실리콘 산화막을 증착하고 박막의 조성과 특성 및 화학적, 전기적 특성들을 살펴보았다. TEOS 반응원료를 이용한 CVD 공정에서 공정 온도를 낮추기 위한 방법으로 강력한 산화제인 오존을 이용하여 공정온도를 $400^{\circ}C$이하로 낮췄으며, 유리기판 상의 ELA(Excimer Laser Annealing)처리된 다결정 실리콘 기판에 트랜지스터 소자를 제작하고, 게이트 절연막으로의 전기적 특성을 살펴보았다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 저온공정에서 유입되는 불순물의 거동, 여러 공정변수와 관련되어 생성되는 재료 및 계면 특성에 대한평가와 이들이 최종적으로 디바이스에 미치는 영향들이 규명되어야 고품질의 소자를 구현할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 APCVD상의 TEOS/Ozone을 이용한 저온 산화막의 특성을 분석하였으며 이를 바탕으로 유리 기판상의 poly-Si TFT제작을 통하여 활용 가능성을 검증하였다.
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